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國產半導體參數分析儀可測項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces
集電極-發射極飽和電壓Vce sat
集電極電流Ic，集電極截止電流Ices
柵極漏電流Iges，柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
柵極電阻Rg
電容測量
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
普賽斯國產半導體參數分析儀特點和優勢：
單臺Z大3000V輸出；
單臺Z大1000A輸出，可并聯后Z大4000A；
10us的超快電流上升沿；
同步測量；
國標全指標的自動化測試；詳詢一八一四零六六三四七六
產品參數
| 項目 | 參數 | |
| 集電極-發射極 | Z大電壓. | 3000V |
| Z大電流 | 1000A | |
| 精度 | 0.10% | |
| 漏電流測試量程 | 1uA~100mA | |
| 柵極-發射極 | Z大電壓. | 300V |
| Z大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | |
| 精度 | 0.10% | |
| Z小電壓分辨率 | 30uV | |
| Z小電流分辨率 | 10pA | |
普賽斯國產半導體參數分析儀集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態參數，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態參數測試系統采用模塊化設計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。
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